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? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Super Fast Recovery Diode
RFUS20TF6S
?Series
?Dimensions (Unit : mm)
?Structure
Ultra Fast Recovery
?Applications
General rectification
?Features
1)Cathode Common Single type.(TO-220)
2)Ultra High switching speed
?Construction
Silicon epitaxial planer
?Absolute maximum ratings (Tc=25?C)
Parameter Conditions Limits UnitSymbol
VRM
Reverse voltage Direct voltage 600 VVR
Average rectified forward current Io
Tj
Tstg
?Electrical characteristics (Tj=25?C)
Symbol
Unit
Forward voltage
VF
V
Reverse current VIR
R=600V
μA
Reverse recovery time Itrr
F=0.5A,IR=1A,Irr=0.25×IR
-2335ns
Thermal resistance Rth(j-c)
--2?C/W
Storage temperature
?55 to ?150
?C
A
one cycle peak value, Tj=25 ?C
Junction temperature
150
?C
Forward current surge peak
IFSM
60Hz half sin wave, Non-repetitive
100
60Hz half sin wave, Resistance load,
Tc=30?C
20 A
Repetitive peak reverse voltage
Duty?0.5
600 V
junction to case
10
- 0.1
Max.
IF=20A
- 2.2 2.8
Parameter
Conditions
Min. Typ.
(1) (3)
1/3
2011.06 - Rev.A
*型号 *数量 厂商 批号 封装
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